一直以来，制备出高品质的、大尺寸的二维单晶材料都是急需要的。通常，采用外延生长方法来制备单晶薄膜材料，但该沉积过程需要单晶作为基底。这里，我们提出了一种不同的方法，以多晶为衬底，合成了单晶石墨烯薄膜。所提出的技术方法类似于提拉过程，以进化选择生长方法为基础。该方法依赖于增长速率最快区域的“自我选择性”，从而限制了生长缓慢的区域，最终形成了连续的二维单晶薄膜。本文中，通过此方法我们合成了1英尺长的石墨烯单晶薄膜，且合成速率高达2.5cmh-1。本文所提出的技术方法有望用于合成其他2D材料和异质结构。
Figure1.实验设定步骤和固定基底上石墨烯形貌。
Figure2.使用刻蚀过的六边形观察石墨烯单晶取向。
Figure3.蚀刻孔的晶体取向以及石墨烯的表征结果。
Figure4.单晶石墨烯进化选择生长机理和2D中的Wullff构造理论。
该研究工作于年发表在NatureMaterials期刊上。原文：Evolutionaryselectiongrowthoftwo-dimensionalmaterialsonpolycrystallinesubstrates（DOI:10./s---3）
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